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Der Entwurf von Strukturen zum reflexionsarmen Einbetten von Halbleiterbauteilen in Mikrostreifenleitungsschaltungen gestaltet sich mit steigender Frequenz kritischer. Deshalb wird ein Verfahren vorgestellt, das es ermöglicht, das Streuverhalten solcher Strukturen unter Anwendung der dreidimensionalen Finite-Differenzen-Methode auf die Maxwellschen Gleichungen numerisch zu berechnen. Hierauf aufbauend wurde das Programmpaket F3D entwickelt. Das Streuverhalten einer Verbindung zweier GaAs-Chips durch eine dielektrische Wand wird in Abhängigkeit von Geometrieparametern diskutiert. Außerdem werden Ersatzschaltbilder unterschiedlicher Komplexität für CAD-Anwendungen vorgestellt. Diese ermöglichen zudem eine rechenzeiteffektive Optimierung dieser Struktur, die somit Filteraufgaben übernehmen kann. Dies wird am Beispiel eines Tiefpasses gezeigt.