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Nach einer Darstellung des thermodynamischen Verhaltens von Thermoelementen und dem Vergleich mit realen Thermo-elementen der DIN-Reihe 43710 wird der prinzipielle Aufbau von Meßsystemen mit Thermoelementen und Meßverstärkern behandelt. Ein Verfahren zur Linearisierung der Ausgangskennlinie mit einem mehrstufigen Summenverstärker wird beschrieben. Der Einfluß des Linearisierungsverfahrens auf das Meßergebnis wird allgemein untersucht und anhand eines praxisnahen Beispiels für eine Fe-CuNi-Thermoelement quantitativ berechnet.
Anhand der formelmäßigen Beschreibung des Linearisierungsverfahrens wird der Einfluß der Vergleichsstellen-Temperatur auf das Meßergebnis quantitativ untersucht und an Beispielen erläutert. Daraus werden die Randbedingungen für die Vergleichsstellen-Temperatur hergeleitet und schaltungstechnische Realisierungen für die Kompensation der Temperaturdrift von Vergleichsstellen beschrieben.
Wahlweise Lichtleiter oder Zweidraht-Leitungen: Ringbus-System zur flexiblen Messdatenerfassung
(1986)
In diesem Beitrag wird ein Messdatenerfassungssystem vorgestellt, bei dem die Datenuebertragung je nach den Anforderungen entweder auf Zweidrahtleitung oder via Lichtleiter erfolgen kann. Es handelt sich um ein ringfoermiges serielles Bussystem fuer das eine universelle Interfacekarte mit Mikroprozessor aufgebaut wurde. Nach Beschreibung der Struktur des Systems wird auf den Uebertragungscode und das Datenprotokoll eingegangen. Anschliessend wird der Aufbau der Interfacekarte gezeigt. Einige Bemerkungen zu den Software-Modulen fuer die Interfacekarte, zum Programmablauf auf ihr und zur Synchronisierung der Interface-Karte runden den Beitrag ab.
The embedding of microwave devices is treated by applying the finite-difference method to three-dimensional shielded structures. A program package was developed to evaluate electromagnetic fields inside arbitrary transmission-line connecting structures and to compute the scattering matrix. The air bridge, the transition through a wall, and the bond wire are examined as interconnecting structures. Detailed results are given and discussed regarding the fundamental behavior of embedding.
Structures for interconnecting active microwave semiconductor-devices, e.g. FET's and MIC's, with the electrical surrounding or with each other have to be designed more and more carefully when increasing the desired upper frequency limit. Therefore, several connecting structures for device embedding have been examined. Mainly, their applicability for the frequency range from 10 GHz to 100 GHz was considered. Additionally, different equivalent circuits were developed to approximately describe their behaviour for CAD-applications.
Der Entwurf von Strukturen zum reflexionsarmen Einbetten von Halbleiterbauteilen in Mikrostreifenleitungsschaltungen gestaltet sich mit steigender Frequenz kritischer. Deshalb wird ein Verfahren vorgestellt, das es ermöglicht, das Streuverhalten solcher Strukturen unter Anwendung der dreidimensionalen Finite-Differenzen-Methode auf die Maxwellschen Gleichungen numerisch zu berechnen. Hierauf aufbauend wurde das Programmpaket F3D entwickelt. Das Streuverhalten einer Verbindung zweier GaAs-Chips durch eine dielektrische Wand wird in Abhängigkeit von Geometrieparametern diskutiert. Außerdem werden Ersatzschaltbilder unterschiedlicher Komplexität für CAD-Anwendungen vorgestellt. Diese ermöglichen zudem eine rechenzeiteffektive Optimierung dieser Struktur, die somit Filteraufgaben übernehmen kann. Dies wird am Beispiel eines Tiefpasses gezeigt.
It is demonstrated that microwave structures incorporating dielectric resonators (DR) are accurately characterised by means of a 3-dimensional finite-difference CAD package. All major assumptions made so far have been dropped, offering the possibility of a rigorous analysis of the embedding of dielectric resonators into microwave structures. In particular, a finite thickness for the microstrip conductor has been taken into account. The coupling of the DR to a microstrip placed in a metallic housing has been theoretically and experimentally investigated. Theoretical and experimental results are in good agreement and give new insight into DR coupling to microstrip circuits.